Ⅳ-Ⅵ族化合物PbSe是一种具有立方结构窄禁带半导体材料，量子效率高，噪声低，具有良好的光电效应，是中红外波段(3～5μm)光探测器和激光二极管的理想材料之一。由于原料硒脲价格昂贵，且难以获得稳定的PbSe薄膜，国内有关该材料的研究较少。　　 本研究采用低成本化学浴合成法，以Pb(Ac)2、Na2SeSO3为铅源和硒源，在玻璃衬底上制备PbSe薄膜材料，研究生长条件对PbSe薄膜的结晶质量、表面形貌和光电性能的影响：探讨敏化退火过程对PbSe薄膜微观形貌和光电性能的影响规律，为研究PbSe基红外探测材料及器件应用奠定基础。　　 研究生长温度对PbSe薄膜的生长模式、结晶性能和光电学性能的影响。较高温度下(≥40℃)，薄膜以岛状模式生长，晶粒尺寸1μm左右，光学吸收边为体材料的5μm处，导电性能良好；较低温度下(<30℃)下，薄膜以扩散模式生长得到纳米晶薄膜，晶粒尺寸10 nm左右，光学吸收边蓝移至1μm左右，导电性极差。　　 考察络合剂浓度队薄膜结晶性能和表面形貌的影响。薄膜的结晶性随络合剂浓度升高而提高，光学吸收边随络合剂浓度提高而红移。较低的络合剂浓度有利于获得致密连续的薄膜，较高的络合剂浓度则导致薄膜的颗粒分离，降低薄膜的连续性和均匀性。　　 采用两步法(第一步低温生长籽晶层，第二步高温生长PbSe薄膜)，获得了结晶性良好，膜层与基底结合良好，均匀性优良的大晶粒PbSe薄膜。薄膜具备体材料的特征，光学吸收边在5μm左右，电阻为2～40kΩ，且阻值随薄膜厚度增加而降低。　　 分别对PbSe纳米晶薄膜和大晶粒薄膜进行敏化退火，研究敏化时间、气氛和温度对薄膜晶体结构、表面形貌、电性能和光电性能的影响。研究发现，PbSe纳米晶薄膜经过退火，吸收边红移，i—t测试曲线表明经过低氧压气氛退火的薄膜具有良好的光电导性能，而在空气气氛中退火的薄膜则出现慢光电导现象。PbSe大晶粒薄膜经过高温退火，出现PbSeO化合物，立方晶粒发生变形并逐渐消失；经过工艺优化，获得了响应时间8ms、响应度达10％的p型薄膜。