场效应管产品内阻值偏高的问题是目前半导体行业比较热门的问题之一，场效应管产品内阻偏高，不仅使得产品在使用过程中出现更大的功率损耗，还会影响周边其它器件的使用，造成整机失效。从目前的调查来看，造成场效应管产品内阻偏高的原因，封装的因素占了很大一部分，如何降低场效应管产品的内阻值，是封装行业比较热门的问题。本论文以FHXD生产过程为背景，提出了运用田口方法来对封装个生产工艺参数进行优化设计，从而达到降低场效应管产品内阻的目的。质量、时间和费用是项目管理的三大研究内容，本论文的研究从质量管理的角度，运用田口方法为指导来开展，首先结合目前存在的功率场效应管内阻偏高的问题，经过头脑风暴和鱼骨图分析的方法，确定造成产品内阻偏高的问题的原因，运用田口方法中的稳健设计思想对试验进行参数设计，选定因子和水平，以信噪比为指标，以正交表L9(34)为工具设计试验方案，通过对试验数据结果进行信噪比分析、极差分析、方差分析和灵敏度分析，得出最佳的结果，并通过试验验证结果的可行性，从质量和成本方面进行评估，最终确定最佳的组合结果，从而实现降低功率场效应管产品内阻的目标。论文最后对全文进行了总结，并提出了研究分析中有待提升的部分，并对未来的研究方向和内容进行了展望。