根据半导体产业形势发展的要求,我国半导体制造产业的生产结构发生了很大的变化,逻辑产品的比重越来越大。国内IC制造企业失效分析实验室采用的传统EMMI(微光显微镜)/OBIRCH(镭射光束)定位检测IC失效热点的方法,已不能满足类似SOC(系统级芯片)等具有复杂结构的高附加值逻辑芯片定位检测分析,这成为了制约其生存和发展的瓶颈。本文首先阐述了传统IC热点定位检测方法的基本原理,通过SOC等复杂结构逻辑芯片采用传统IC热点检测方法失效原因对比分析,实验验证找到传统EMMI/OBIRCH定位失效的根本原因。经过大量实验验证的分析讨论和总结,找到新的动态EMMI/ OBIRCH检测IC失效热点的方法,它是一种Scan Chain(扫描链测试)/Test Mode(一定测试模式) + Cycling Test(循环测试)的定位检测方法。区别于传统采用Istb(静态电流)的定位检测方法,它能充分地动态模拟出芯片内部电流状态,又能保证测试打开电路的时间相对于做EMMI/OBIRCH扫描检测的时间匹配。对具有复杂结构的逻辑芯片能进行有效的热点捕获,达到有效定位IC缺陷,帮助我们进行工程失效分析的目的。这种新技术适应了当前对于半导体产业形势发展的要求,不仅满足存储器产品的定位检测分析,也满足类似SOC等具有复杂结构的逻辑芯片定位检测分析。该方法突出的优点是实施过程比较简单,但定位检测效果非常的好。现已作为关键检测技术被制定加入了公司的标准IC失效分析流程。它的应用前景广泛,据了解,国内主要的半导体制造厂商工程失效分析实验室以前都没有实施过,国外也几乎没什么介绍。本文研究测试主要都以国内绝大多数实验室都有的测试机台为对象,具有很强的通用性。