该论文对照相乳剂中卤化银微晶的精细形貌和微观电性能进行了研究.用原子力显微镜观察了卤化银晶体的表面精细形貌、应用Wagner极化法测定了卤化银晶体的电子电导率和空穴电导率、应用阻抗谱法测定了卤化银晶体的离子电导率以及离子迁移活化能、用微波光电导法测定了卤化银晶体的光电子寿命.通过原子力显微镜的观察发现溴碘化银T颗粒晶体表面不平整,在颗粒表面存在许多高低不等的山丘状突起,曝光后突起有长大和聚集的现象.掺杂浅电子陷阱掺杂剂后对曝光前样品表面精细形貌影响不大,但曝光后突起长得更大,更集中.乳剂经硫增感后颗粒表面突起排列比较整齐,突起大小也趋于一致,曝光后晶体表面形貌变化更明显.但是在增感后的颗粒表面吸附一层防灰雾剂后,颗粒表面没再发现突起的存在,只是略显起伏,曝光后颗粒表面形貌变化也不明显.不同晶形的卤化银颗粒的表面形貌差异很大.(100)高氯T颗粒表面形貌跟(111)T颗粒形貌类似,都有山丘状突起,但在立方体颗粒表面没有发现山丘状突起,而是条状隆起.T颗粒晶体生长过程中颗粒形状和表面精细形貌变化都比较大.在引入碘离子前,颗粒多呈不规则的圆形,表面没有形成突起.引入碘离子后颗粒逐渐长成六边形,表面突起产生.应用Wagner直流极化法对T颗粒晶体的电子电导率和离子电导率进行测量,并研究了浅电子陷阱掺杂剂、化学增感剂、防灰雾剂以及温度等因素对电子和空穴电导率的影响.采用阻抗谱法测量晶体的离子电导率.浅电子陷阱掺杂剂的加入可提高晶体的离子电导率.这也充分说明浅电子陷阱掺杂剂加入到晶格中,对电子有暂时捕获的作用,降低了电子与填隙银离子的作用几率,使离子电导率上升.同时浅电子陷阱掺杂剂的络离子作为整体进入卤化银的晶格,使填隙银离子的浓度增加,也会使离子电导率上升.利用微波光导法对掺杂乳剂光电子寿命的测量发现掺杂浅电子陷阱掺杂剂后光电子寿命增加.而如果在乳化完成后的乳剂中简单混入浅电子陷阱掺杂剂,对光电子寿命几乎没有影响.这说明浅电子陷阱掺杂剂必须进入到晶格中,才能真正起到浅电子陷阱的作用,通过暂时捕获光电子来提高光电子的利用率.