RTP (Rapid Thermal Processing)是将硅晶片快速加热到设定温度,在短时间内进行快速热处理的方法,热处理的时间通常要小于1～2分钟。它的主要应用范围包括离子注入退火、形成金属硅化物、氧化反应等。RTP系统具有快速升降温的特点,对于单片硅晶片进行快速热处理具有快速、热预算低、温度均匀性和重复性良好等特点。RTP系统作为实现快速热处理工艺的运行平台和专门环境,在工作原理、系统结构、运行机制及相关理论研究等方面仍具有大量工作要做。本论文研究主要完成了以下内容：1.依据实际要求,提出了总体设计方案,其中包括加热系统、电磁驱动旋转系统、冷却系统和气氛供给系统。2.对于加热系统,确定了加热方式、加热灯类型；计算出了RTP系统热源总功率、加热灯功率与数量；确定了加热灯的排布,完成了灯罩的设计；研究了加热灯半径对硅晶片热应力的影响,确定了最佳的加热灯半径。3.对于电磁驱动旋转系统,做了如下工作：(1)研究了该旋转系统中关键参数对转矩的影响,确定了关键参数合理的取值。(2)研究了该旋转系统中关键组成线圈的几何尺寸、导线缠绕方式、线圈匝数、线圈内通过的电流等参数。4.对于冷却系统和气氛供给系统,做了如下工作：(1)确定了气体制冷的方式以及循环水冷却方案,结合本RTP系统方案图,提供了冷却通道与接口等的冷却系统示意图。(2)确定了气氛供给系统组成、气路的数量,提供了气氛供给系统的示意图。