该文采用传统固相反应法合成了SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>(简称SBT)和V掺杂SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>(简称SBTV)粉体,并分别采用模压和冷等静压两种成型方法,然后再无压烧结,制备出五种SBT系列铁电陶瓷(SBT0、SBT1、SBTV1、SBTV2、SBTV3).V<,2>O<,5>的掺杂量分别为10mol﹪、20mol﹪和30mol﹪.通过差热-热重分析(TG-DTA)、XRD、SEM、TEM等技术手段研究了材料的烧结工艺、相组成和微观组织结构,用阻抗分析仪测试了材料的介电性能,并探讨了Bi、V含量对其微观组织结构和介电性能的影响.研究表明:V<,2>O<,5>是一种的很好的助烧剂,掺杂后SBTV粉体烧结温度可降低200℃两步烧结后纯SBT均为单一的钙钛矿相SBT;掺杂后两种成型工艺所制备的SBTV除了生成少量的第二相Bi<,4>(V<,2>O<,11>)外,也主要由钙钛矿相组成;同时五种陶瓷都发生了一定程度的择优取向.化学计量比的SBT晶粒主要为长棒状,非化学计量比的SBT有片状和棒状两种晶粒,而后者晶粒明显较大,两者都较致密;掺杂后SBTV陶瓷晶粒转换为片状.同时V掺杂后引起了晶格畸变,产生应变,SBTV陶瓷中观察到α-边界特征的90°畴.另外,五种陶瓷的介电常数偏低;常温下,介电性能稳定.SBT1、SBTV1和SBTV2的Tc约为350℃;在相变点SBTV陶瓷的介电峰明显变宽;而且高温下SBT系陶瓷的介电常数明显高于常温的.掺杂的SBTV在烧结过程中V的价态发生变化:V<5+>→V<4+>,产生了氧空位.