铌酸锂相位调制器关键技术的研究

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铌酸锂相位调制器已经广泛应用于光纤通信、光纤传感等众多领域,而在器件的生产过程中,波导制作、V型槽制作、器件耦合封装及可靠性等几项关键技术对器件整体性能的提高至关重要。本文首先简单介绍了电光调制器的原理,阐述了铌酸锂相位调制器中波导制作、V型槽制作、器件封装耦合及可靠性等几项关键技术的研究意义,综述了其研究、发展现状。在分析了铌酸锂晶体的相关特性、电光相位调制的基本原理以及单模光纤和光波导的对接耦合以后,研究了单模铌酸锂条形波导和铌酸锂V型槽的制作工艺,提出了使用铌酸锂V型槽实现单模光纤与波导耦合的方案。实验方面,利用实验室现有条件,在铌酸锂晶片上以苯甲酸为质子源,用液相质子交换法制作了条形波导;对用质子交换法实现铌酸锂晶体畴反转进行了一系列实验研究,在此基础上提出了质子交换法实现铌酸锂晶体畴反转的工艺过程,实现了畴反转并腐蚀得到了V型槽;设计制作了带尾纤的电光相位调制器,最后进行封装。对实验过程中发现的问题进行了分析提出了解决的方案。在实验室现有条件下对器件的插入损耗及稳定性进行了测试,并对结果进行了分析。在整个设计、制作过程中应用可靠性工程的技术方法,分析可能的失效因素,在理论上提出了改进的方法,为最终实现器件的可靠性增长及器件的实用化打下了基础。
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