随着微波真空电子器件不断向轻量化、小型化、集成化、高可靠性和低成本方向发展,也对器件内部的微波衰减材料提出了更高的要求。所以研制出“重量轻、频带宽、吸收强、厚度薄”的微波衰减材料的重要性和迫切性不言而喻。我国目前正使用的FeSiAl涂层微波衰减材料,拥有很好的起始磁导率,且材料中不含低熔点物质和易挥发物质,采用涂敷加烧结的方式,可以迅速的将吸收的能量转换成热能传到管外,而且工艺简单重复性好,成品率高。其烧结后FeSiAl厚度为100-200μ m,呈涂层状。目前,正在研制的更小体积的真空电子器件,对衰减材料的厚度要求为纳米或微米级别,FeSiAl涂敷烧结的方式已经不能满足要求。本课题另外采用了等离子体镀膜方式——磁控溅射,用来制备纳米或微米级别厚度的薄膜微波衰减材料。作者完成的主要工作如下：(1)采用热压烧结等方式成功制备了磁控溅射薄膜衰减材料所用的靶材；(2)利用磁控溅射技术成功制出了具有衰减性能的薄膜微波衰减材料；(3)对所制备的薄膜微波衰减材料的微观形貌及成分进行了系统的分析,给出了关于磁控溅射薄膜衰减材料衰减机理的推断。通过开展对薄膜制备工艺、成分及形貌微观分析等研究,搞清了薄膜的制备工艺及特性,为将该薄膜应用于器件奠定良好的工艺及技术基础。相信今后通过进一步开展研究,有望发展出具有高频、宽频带微波吸收性能纳米或微米级别厚度的薄膜衰减材料,从而为高频率微波电真空器件的研制提供一种全新的功能材料。