氧化铟具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,是一种重要的n型半导体。由于氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能,而被应用于半导体气体传感器。半导体气体传感器的性能,如灵敏度、选择性、稳定性、响应/恢复时间等,与气敏材料自身的理化性能、形貌、结构具有直接的关系。本文从氧化铟纳米材料的制备入手,用水热法和模板法制备了不同形貌、结构的氧化铟球壳纳米材料,再通过不同稀土元素的掺杂,改善了氧化铟纳米材料的气敏性能。重点研究了氧化铟纳米材料的合成方法、理化性质、气敏性能。主要工作如下:1.采用水热法制备了氧化铟中空球纳米材料。按照一定的配比,将氯化铟和间苯二酚完全溶解于甲酰胺的水溶液中,然后转入聚四氟乙烯高压反应釜中,密封后在160℃下水热反应一定时间,即得到氢氧化铟中空球。氢氧化铟前驱体经过煅烧得到氧化铟中空球材料。考察了不同反应物配比对产物的影响。表征了样品的形貌、结构和组成。分析了氧化铟基气体传感器对乙醇的气敏性能。2.通过浸渍法,向氧化铟纳米材料中掺杂氧化钇和氧化铒,提高了传感器对有机气体的敏感性能。浸渍不同浓度钇或铒的硝酸盐到氧化铟球壳材料中,然后在不同温度下煅烧,制得稀土掺杂的氧化铟气敏材料。将气敏材料制作成传感器,检测不同的有机气体。3.采用模板法制备了氧化铟纳米球壳材料。用水热法合成的碳微球作为硬模板,通过在碳模板上化学吸附铟离子,再煅烧除去模板的方式制备氧化铟纳米球壳。当同时吸附钇离子,就可以合成钇掺杂的氧化铟纳米球壳材料。论文研究了纯的和钇掺杂的氧化铟气敏性能。