【摘 要】
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论文包括以下几方面内容:1.利用分子束外延设备生长了GaAs/AlAs/GaAs夹层结构材料,通过侧向湿法热氧化技术,将AlAs层转变为AlO绝缘层.首次解决了SOI衬底AlAs夹层热稳定性问题
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论文包括以下几方面内容:1.利用分子束外延设备生长了GaAs/AlAs/GaAs夹层结构材料,通过侧向湿法热氧化技术,将AlAs层转变为Al<,2>O<,3>绝缘层.首次解决了SOI衬底AlAs夹层热稳定性问题.样品在经受600℃退火温度下,表面GaAs层具有良好的薄膜特性,夹层Al<,2>O<,3>层为稳定的非晶氧化物.2.利用Raman光谱、透射电子显微镜等分析手段,首次确定了影响SOI衬底热稳定性的关键因素是As、As<,2>O<,3>等挥发性产物在氧化层中的残余量,而不是国际上普遍认为的界面应力因素.3.解决了GaAs SOI衬底MBE二次生长的关键工艺.4.首次在SOI衬底上生长了PHEMT材料,X射线双晶摇摆曲线分析证明材料结构完整,晶体质量良好.5.制作了PHEMT器件,器件结果显示了优良特性:零偏压下源漏电流I<,DSS>=320mA/mm,最大跨导为250ms/mm,器件具有良好的夹断性能,极好的电荷控制能力和高线性特性.
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