有机半导体高分子聚合物由于具有溶液可加工性、加工成本低和可弯曲等优点而在柔性电子器件上具有巨大的应用前景。现有的有机半导体器件主要包括场效应晶体管、光伏电池和发光二极管等,这些器件的性能很大程度上取决于材料的电荷传输效率。尽管近几年来,有机半导体高分子聚合物的迁移率有了显著的提高,但是材料的微观结构与材料的电荷输运性质之间的关系仍然没有得到充分的理解。半晶有机半导体高分子聚合物P3HT和PBTTT由于具有高的结晶性和更有利于电荷输运的边堆叠的分子排布方式,因此在高载流子浓度下(¹0²11 cm^-3)它们能够拥有超过1 cm²V^-1s^-1的迁移率。然而不同于P3HT和PBTTT,indacenodithiophene-co-benzothiadiazole（IDTBT）尽管结晶性较差,但因为材料具有低的能量无序度,因此以Cytop为绝缘层的IDTBT晶体管器件能在低载流子浓度下(¹0¹11 cm^-2)实现高达1.2cm²V^-1s^-1的迁移率。在这样低的载流子浓度下,即使是P3HT和PBTTT也难以实现如此高的迁移率。通过对IDTBT电输运性质的研究能为理解有机半导体高分子聚合物中高迁移率的起源提供新的视角。本论文首次利用真空（ε=1）作为IDTBT场效应晶体管的绝缘层,对IDTBT的本征电输运性质进行了研究。以真空为绝缘层的IDTBT场效应晶体管,其迁移率高达0.9cm²V^-1s^-1。如此高的迁移率还未在其它以真空为绝缘层的有机半导体高分子聚合物的晶体管器件中被报道过。同时,本论文还利用以Cytop和P（VDF-TrFE-CFE）为绝缘层的IDTBT晶体管器件,研究了场效应调控的载流子浓度和不同绝缘层的介电常数对IDTBT场效应晶体管的迁移率的影响。实验结果表明电场调控的载流子浓度以及由极化绝缘层在半导体界面引起的偶极子无序都对IDTBT场效应晶体管的迁移率起了重要的决定作用。