【摘 要】
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ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体(纤锌矿)结构,与GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,激子束缚能为60meV,是继GaN之后的又一理想的光电材料。激光脉
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ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体(纤锌矿)结构,与GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,激子束缚能为60meV,是继GaN之后的又一理想的光电材料。激光脉冲沉积(PLD)法是近年来发展起来的先进的薄膜生长技术,它是在高真空背景下用高能激光烧蚀ZnO靶材生成蒸发物淀积在加热衬底上生长晶体薄膜的。本论文利用PLD技术在半绝缘(001)取向的GaAs单晶片上制备ZnO薄膜,在400℃退火条件下,通过As扩散成功制备了P型ZnO薄膜。继而按照p型ZnO薄膜的制备条件,成功制备了p-ZnO/n+-GaAs异质结发光器件。在室温下电致发光测试中,即可以测试到ZnO层缺陷深能级的蓝绿电致发光谱,同时也测试到GaAs层的红外电致发光谱。在此基础上,对ZnO同质p-n结发光器件的制备进行了初步研究。
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