稀磁半导体由于能将磁性自由度引入传统的半导体而受到广泛的关注,它将半导体的输运/光学性质和磁性质结合在一起,有可能开发出全新的电子器件。尽管人们对过渡金属掺杂的ZnO薄膜材料进行了大量的研究,但结果不一,这是因为材料的性质极大地依赖于薄膜的生长条件,这些都激励着我们对块材样品的磁性质进行研究。本论文使用纳米材料制备方法——共沉淀法制备了Fe掺杂的ZnO材料,研究了深能级杂质Cu/Sn离子的引入对Zn-Fe-O样品的磁性质的影响,并对磁性的起因作了初步的探索。主要研究内容包括以下几个方面:1.对稀磁半导体的结构、相互作用以及磁性质作了全面的概括,对ZnO稀磁半导体材料的研究进展作了一个简短的回顾,在此基础上提出了本论文的选题依据和研究意义;2.简要介绍了几种制备纳米材料的化学方法,选择共沉淀法制备了Fe掺杂的ZnO多晶样品,对其结构和磁性质作了相关的分析;3.从实验上研究了Cu离子的引入对Zn-Fe-O系统的结构和磁性质的影响,分析了掺杂浓度和烧结温度对样品的磁性质的影响;4.从实验上研究了Sn离子的引入对Zn-Fe-O系统的结构和磁性质的影响,分析了掺杂浓度和烧结温度对样品的磁性质的影响;5.比较了Zn-Fe-O,Zn-Fe-Cu-O以及Zn-Fe-Sn-O系统的磁性质,对样品的磁性起因进行了初步探索。总之,我们以具有室温铁磁性的Zn-Fe-O稀磁半导体材料为基体,试图引入Sn/Cu离子来调节样品中的载流子浓度,研究样品的磁性变化,进而揭示样品的磁性起因、改善样品的磁性能。