【摘 要】
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MBE GaAs基量子级联激光器是采用分子束外延的方法,在GaAs的表面生长出一系列的量子阱,利用量子级联的原理产生谐振光,从而得到稳定的激光辐射源。这些量子阱的厚度均为纳米
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MBE GaAs基量子级联激光器是采用分子束外延的方法,在GaAs的表面生长出一系列的量子阱,利用量子级联的原理产生谐振光,从而得到稳定的激光辐射源。这些量子阱的厚度均为纳米级甚至分子层厚度,杂质对该器件的发光效应会产生巨大影响。激光器是高功率器件,工作时会产生大量能量,现有器件的使用往往需要液态气体来降温,这样就大大减小了激光器的实用性。欧姆接触作为器件连接的关键组件,其电阻率的高低直接影响到器件的输出效率。现有的AuGeNi系统在制作欧姆接触的过程中,Ni会对有源区有着大量的扩散,这对于激光器的量子级联效应是非常不利的。此外,在经历通常欧姆接触制作工艺所必需的退火工艺后,欧姆接触的最上层金属(Au)产生了非光滑表面,这对于光学敏感的激光器器件来说,也是非常不利的。针对上面提出的问题,本课题研究了可用于量子级联激光器上的欧姆接触:1、通过理论分析和工艺实验获取了GaAs欧姆接触结构制作工艺参数2、通过对模型的进一步分析和对测量结构的改进设计改良了GaAs欧姆接触电阻率的精确测量方法3、引入Ge/Au/Ag/Au等结构避免了Ni对量子级联激光器结构的不利影响4、引入LTG GaAs(低温GaAs)制作帽层以避免了退火对量子级联激光器的不利影响5、引入扩散阻挡层(Pd)制作以改善退火后器件的表面形貌
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