SmCo₅薄膜具有极高的单轴磁晶各向异性能，能很好地保持微小磁性颗粒的热稳定性，是未来超高密度垂直磁记录介质的候选材料之一,因而SmCo₅薄膜及其底层材料的制备工艺、磁特性及其相关机理研究就极具意义。在磁存储领域，位图案化记录方式可以大大提高记录密度，很有潜力成为传统垂直磁性连续薄膜的替代者，研究图案化介质模板制作工艺就尤为重要。本文首先介绍了磁控溅射装置，并对传统光刻、电子束曝光和ICP刻蚀设备作了简单描述，还对薄膜样品的微观分析和SmCo₅薄膜样品的磁性能测试作了相关阐述。接下来，本文研究了SmCo₅/Cu/TiW薄膜的制备工艺，进而就TiW籽晶层的引入对SmCo₅/Cu薄膜磁性能的影响作了相关研究，发现SmCo₅/Cu薄膜的磁性能随TiW籽晶层厚度先增大后下降，当TiW籽晶层为5nm时，薄膜的矫顽力和垂直磁各向异性能达到最大，分别为3719Oe，1.04×10⁷erg/cm³。TiW籽晶层良好的阻挡特性与大的表面能是改善Cu底层的微结构与表面形貌进而提高SmCo₅/Cu薄膜磁性能的原因。本文最后研究了Si基二维有序微米级孔柱阵列模板和纳米级孔洞阵列模板的制备工艺，并应用传统光刻和ICP刻蚀等工艺成功制备得Si基二维有序微米级孔柱阵列模板，继而又通过电子束曝光和ICP刻蚀等工艺成功制备得Si基二维有序纳米级圆孔阵列模板，对所在项目组今后进行分立SmCo₅记录材料磁性能的研究具有重要意义。