近年来,有机-无机杂化钙钛矿材料在光电子器件方面取得了巨大成功,引起了人们的广泛关注。有机-无机杂化钙钛矿材料具有高的光学吸收系数、直接带隙且带隙可调、高的载流子迁移率和长的载流子扩散长度等一系列优点,被广泛应用在制备太阳能电池、发光二极管、激光器和光电探测器等光电子器件中。本文的主要工作包括MAPbBr3/Si异质结自驱动窄带光电探测器的制备及其性能提升,通过室温抗溶剂法制备了高质量的MAPbBr3微米单晶,制备了MAPbBr3/Si异质结光电探测器,实现了器件在可见光范围内的自驱动窄带光探测,在此结果的基础上,我们进一步引入了氧化铝（Al2O3）作为界面钝化层,构建了MAPbBr3/Al2O3/Si结构的光电探测器,进一步提升了探测器的性能。本论文主要包括以下几部分内容:1.通过室温抗溶剂法在氧化铟锡（ITO）玻璃上生长了MAPbBr3微米单晶并制备了MAPbBr3光电探测器,X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等表征显示MAPbBr3具有较高的结晶质量。器件在1 V偏压下的开关比为280,响应度峰值为1.21×10-5 A/（W/cm~2）,响应时间分别为99.8 ms和101.9 ms。2.通过室温抗溶剂法在硅片上生长了MAPbBr3微米单晶,制备了MAPbBr3/Si异质结光电探测器。电学测试结果显示探测器在530 nm光照下的开路电压和短路电流分别为0.88 V和1.42×10-8 A,在0 V偏压下的开关比达到了5.3×10~5。同时,在0 V偏压下,器件在551 nm处的响应度为4.0×10-4 A/（W/cm~2）,半高宽仅为18.2 nm。我们认为,异质结空间电荷区内的光生载流子在内建电场的作用下定向运动产生了光电流,实现了自驱动探测的结果;较厚的MAPbBr3/Si结构中的MAPbBr3可以作为光学滤波器,获得了窄带光探测的结果。3.使用原子层沉积（ALD）的方法在硅片上生长了Al2O3薄膜,构建了MAPbBr3/Al2O3/Si结构的光电探测器。结果显示插入Al2O3钝化层后,器件在0V偏压下的开关比高达2.2×10~5,同时响应度峰值达到了0.39 A/W且半高宽仅为21 nm。室温荧光测试和水接触角实验结果表明,插入Al2O3后的MAPbBr3/Si界面处缺陷浓度更低,而在亲水性更好的Al2O3/Si基底上,生长的MAPbBr3缺陷浓度更低。以上结果均表明了Al2O3具有钝化界面缺陷的作用,而同时空穴能以隧穿的方式穿过Al2O3层传输到Si材料中。