二氧化锆薄膜具备其它第ⅣB族金属氧化物薄膜所不具备的很多优良性能。尤其二氧化锆薄膜的某些卓越的光学特性，比如在很宽的波谱范围内的光子吸收效率很低，光学损伤阈限很高等，使其在滤光器、分光镜、增透膜和增反膜等光学元器件中得到广泛应用。另外，ZrO₂薄膜其它方面的优良性能使其在纳米材料、记忆材料、多层膜复合材料以及微电子材料等领域都有很广泛地应用。所以制备出高质量的二氧化锆薄膜并研究其特性具有很现实的重要意义。本文在国产OLED多功能多元镀膜系统中采用射频磁控溅射法，选取纯度为99.9%的二氧化锆靶材，通过多次改变工作气体总压强和氧氩流量比等溅射工艺条件在普通玻璃基底上沉积ZrO₂薄膜。最终在工作气体总压强为1.0Pa，基底温度为150℃，溅射功率为240W的工艺条件下制备了具有优良择优取向的ZrO₂薄膜。将制备的高质量薄膜样品分别在700℃和800℃的条件下退火处理30min。并使用D/max-rB型X射线衍射仪对700℃、800℃退火前后的ZrO₂薄膜进行分析，结果表明二氧化锆有其择优生长的方向，经过800℃退火处理后薄膜的颗粒有所增大，结晶性更好。用Nano Scope Ⅲ型原子力显微镜分别对700℃和800℃退火前后的ZrO₂薄膜表面进行扫描，结果表明700℃退火后薄膜表面没有明显变化，二氧化锆晶粒尺寸比较小，800℃退火后薄膜表面相对平整，晶粒尺寸也相对变大，晶粒重新结晶，薄膜结晶度更好。用U-3900型紫外分光光度计测试800℃退火前后的薄膜透光率，观测透射谱发现二氧化锆薄膜在波长约为250nm⁶00nm范围内透射率相对较高，在波长约为260nm时，透射率曲线出现峰值，而且退火后，透射率有所增大。使用FEISirion扫描电子显微镜对薄膜样品进行成分分析，从能谱图中得出样品中O元素和Zr元素比例接近2:1。通过这一系列的实验得出了射频磁控溅射法制备ZrO₂薄膜的最佳工艺，并经过800℃退火改善了薄膜的透光率。