【摘 要】
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在激光惯性约束聚变(ICF)领域中，非晶碳氢(α：CH)由于其特殊性能常被用作微球表面CH烧蚀层材料，以研究内爆动力学。随着ICF研究工作的深入，精密诊断越来越要求掺杂有中、高Z元素(特别是Ge、Br、Se等)的C_xH_(1-x)作为靶材料。 本文为制备掺溴非晶碳氢薄膜材料，首先制作了自动化控制MKS公司出产的质量流量控制计装置的接口电路，并利用VB高级编程语言编写了该装置的自动化控制程序
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在激光惯性约束聚变(ICF)领域中，非晶碳氢(α：CH)由于其特殊性能常被用作微球表面CH烧蚀层材料，以研究内爆动力学。随着ICF研究工作的深入，精密诊断越来越要求掺杂有中、高Z元素(特别是Ge、Br、Se等)的C_xH_(1-x)作为靶材料。 本文为制备掺溴非晶碳氢薄膜材料，首先制作了自动化控制MKS公司出产的质量流量控制计装置的接口电路，并利用VB高级编程语言编写了该装置的自动化控制程序。 然后在改进的低压等离子体聚合装置中以溴乙烷(C
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