【摘 要】
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高功率超辐射器件的研制,是目前超辐射发光器件的研究重点和难点.为提高半导休 超辐射器件的输出功率,采用直接耦合的方法,将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集
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高功率超辐射器件的研制,是目前超辐射发光器件的研究重点和难点.为提高半导休 超辐射器件的输出功率,采用直接耦合的方法,将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成,制得了1.3μm集成超辐射光源,其脉冲输出功率为50mW,光谱宽度(FWHM)28.9nm,半导体光放大器的最大增益达到19dB.由于该器件具有工艺简单、耦合效率高、使用 方便等优点,在波分复用、光纤陀螺等系统中具有重要的应用前景.在半导体激光器局域速率方程的基础上,修正了适合辐射器件的局域速率方程组,理论分析结果与实验结果基本吻合,通过理论分析提出提高器件功率的途径,为以后进上步实验提供了理论依据.
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