随着自旋电子学的发展以及相关器件的不断开发和利用，近年来人们对铁磁／超导隧道结及多层结构中自旋极化的准粒子输运的研究产生极大的兴趣。由于隧道结系统可以作为一个基本的记忆存储器件单元，具有广阔的应用前景，同时又存在诸多有趣的物理特性，目前已经成为一个很活跃的研究课题。本文主要研究了金属／p波铁磁超导体单结在零温时的微分电导。 本文的第一部分绪论中，将简单的介绍论文所涉及的物理概念，包括自旋依赖的电子输运、Andreev反射和研究输运过程的方法。在研究输运过程的方法中着重介绍了BTK理论。 在第二章中，我们介绍了铁磁超导共存的背景、铁磁性和超导电性共存的材料、p波序参量对态的自旋结构以及轨道分布函数，包括各向同性的常规超导体和各向异性的非常规超导体组成的异质结构。 在第三章中，利用BTK理论模型，研究零温下正常金属，p波铁磁超导结中的微分电导（G）随偏压的变化情况。研究发现针对不同的序参量其微分电导的峰的个数是不一样的，其峰值对应序参量的极值。