本论文的撰写是基于天津大学电信学院新型半导体器件与集成技术小组承担的国家科技部‘973’课题——“三端逻辑功能器件”部分进行的。先探究了真实空间转移(RST)器件的原理,再采用HSPICE模拟软件进行电路模拟,然后在天津大学新型半导体器件与集成技术组的实验室条件下,在中科院物理所生长成的材料上进行了芯片制作,对器件进行了直流测量,最后对于测试结果做了分析。截至目前为止,本课题组已在一种材料上成功制作出δ掺杂共振隧穿型双沟道真实空间转移(RST)器件,电流峰谷比(PVCR)最高达到5。论文完整地介绍了真实空间转移(RST)器件的研制过程,从原理结构、材料设计、版图设计、电路模拟、芯片制作到测试分析以及RST器件今后在电路中的应用等各个方面进行了较详细的阐述,对RST器件的电路模拟和制作这两个关键环节进行了详细论述。在电路模拟方面,对δ掺杂共振隧穿型真实空间转移(RST)器件进行了仿真,特别是对影响器件电路特性的重要参数进行了模拟分析,如阈值电压、电子总数以及电子迁移率等,在研制阶段为设计人员提供了可行性参考,在流片阶段为器件制作提供了理论依据。在器件的制作方面,简单介绍了器件制作的工艺,详细陈述了RST器件的制作过程,之后又对芯片进行直流测试及分析。分析结果表明,制作出的RST器件出现了负阻现象,初步达到预期的要求。整篇论文对真实空间转移(RST)器件从设计、模拟到制作测试分析验证都进行了较为全面的论述,为今后真实空间转移器件的研究与应用奠定了一定的基础。