电流峰谷比相关论文
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内......
在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻......
谐振隧穿二极管（RTD）具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点，在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优......
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明：最大电流峰谷比为17.6∶1，栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内，-3......
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面......
研究了HBT产生负阻的可能机制，通过对材料结构和器件结构的特殊设计，采用常规台面HBT工艺，先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负......
本论文的撰写是基于天津大学电信学院新型半导体器件与集成技术小组承担的国家科技部‘973’课题——“三端逻辑功能器件”部分进......
