首次采用ErF3作为阴极修饰材料,研究了ErF3超薄修饰层作为阴极修饰层对OLED发光性能的影响。以ErF3超薄膜作为阴极修饰层,制作了器件结构为:ITO/ NPB(40nm) /AlQ(40nm) /ErF3(xnm)/Al(100nm) , ErF3的厚度x分别为0,0.5,1,1.5nm。亮度测试显示:ErF3厚度为0.5nm器件性能最佳,器件最大亮度为不加修饰层的4倍。借助XPS可以发现,ErF3阴极修饰层的引入不仅有利于阴极电子注入,而且可以提高器件的稳定性。但是,随着ErF3厚度的增加,其薄膜内电场会大大减弱,导致电子的隧穿几率大大减小,并且会增加器件的开启电压,因此,其厚度应当适中。在对ITO阳极进行硫酸溶液处理时,利用XPS时发现:为清洗表面残余硫酸采用不同方式,XPS测试结果有很大的差别。有机溶剂虽然能去除表面残余的硫酸,但是会引入新的C污染;用去离子水清洗,不能有效的全部去除表面的残余硫酸,会引入酸污染。这些因素的干扰会导致分析结果的不同,甚至导致分析错误。UPS测试表明,60%硫酸溶液处理的ITO表面的功函数比未用硫酸溶液处理的功函数高了0.22ev。