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半导体材料是制作集成电路、微电子器件和光电子器件的重要材料,支撑着计算机、通信以及网络技术等电子信息产业的发展,对推动人类物质文明和精神文明的进步起着积极作用。氮化物半导体材料是半导体材料中的重要分支,由于具有较高的禁带宽度,高电子迁移率和高热导率等优良性能,成为国内外的研究热点。本文主要研究氮化锌薄膜和氮化铝薄膜的制备以及薄膜的结晶性和光学性质等内容。本文采用射频磁控溅射法,用纯度为99.99%的Zn靶,在玻璃衬底上制备氮化锌薄膜,研究衬底温度对氮化锌薄膜结晶性、表面形貌、光学性质的影响。研究发现:薄膜的晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,在200℃时薄膜的结晶性最好;并且衬底温度能够影响薄膜的生长取向,随着衬底温度的升高,薄膜的生长取向由(400)晶面转为(222),(321)和(422)晶面。用椭偏仪测试样品,建立相应的物理模型计算出氮化锌薄膜在430-850nm范围内的折射率和消光系数等光学参数。利用Tauc公式计算出氮化锌薄膜的光学带隙在1.73-1.79 eV之间。本文采用射频磁控溅射法,制备氮化铝薄膜,研究衬底温度、氮气含量、工作气压和衬底材料等工艺参数对氮化铝薄膜性能的影响。在实验过程中只改变一个参数,研究发现:(1)在100-500℃范围内,衬底温度越高,氮化铝薄膜的结晶性越好,折射率增大,薄膜的光学带隙也越大。(2)薄膜的结晶性会随着氮气含量的升高先变好后变差,在N2/Ar=1:2时,薄膜的衍射峰强度最大,结晶性也最好;随着氮气含量的增加,薄膜的沉积速率会逐渐降低。(3)随着工作气压的增大,薄膜XRD衍射峰强度逐渐减小。在工作气压为0.1Pa和0.2Pa时,衍射峰的强度最大。(4)由于晶格失配的问题,在玻璃和石英衬底上比在(100)Si衬底上制备的薄膜结晶性好。