本论文主要利用慢正电子束流测试技术研究半导体以及半导体多层膜近表面内的缺陷信息。在研究过程中以慢正电子测试技术为主要手段，结合X射线衍射、深能级瞬态谱(DLTS)、寿命谱测试以及符合双多普勒展宽等多种方法，研究经过退火、电子辐照、γ光子辐照、以及He+离子注入的SiC的近表面缺陷的演变行为。并研究金属半导体Al/GaSb，以及半导体多层膜GaN/SiC各层之间特别是界面处的缺陷信息，通过慢正电子测试技术和数据拟合程序VEPFIT，研究经过不同温度、环境以及退火时间的n型6H-SiC内的原生(as-grown)缺陷的演变行为。　　　　 利用单能慢正电子的多普勒展宽谱研究异质结Al/GaSb随不同退火温度的演变行为，不同深度处S参数由VEPFIT程序利用三层模型(Al/Interface/GaSb)拟合得到。我们利用慢正电子技术，运用VEPFIT,通过分析由实验所得到的S-E曲线来研究GaN/SiC的界面性质。按照常规的方法进行拟合，拟合结果和膜厚不能够很好的符合。发现该电场的存在对正电子的湮没产生了影响，使得在SiC区域，有电场的区域的正电子的有效扩散长度减小，同时由拟合所得到的电场为研究真实地界面的情况提供了有效的参考价值。