纳米三氧化钨的调控合成及性能研究

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WO3是一种n型半导体,属于过渡金属氧化物,它的禁带宽度在2.5-3.5eV之间,是一种宽禁带的氧化物半导体。它在气体传感器、光催化、显示器、电极材料等方面都有广泛地应用,是具有开发潜力的材料之一。众所周知,纳米材料的性能与其尺寸和形貌都有很大的关系,因此,不同结构和形貌的三氧化钨的制备以及其性能的研究一直以来都受到人们的关注。本论文主要是利用不同的辅助试剂,在水热法条件下控制合成不同形貌和物相的纳米三氧化钨粉体,并对其合成机理进行了初步探讨。采用X-射线粉末衍射(XRD),透射电镜(T
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太阳光的有效利用是解决目前能源危机和众多环境问题(如温室效应、臭氧层破坏、环境污染等)的最有效途径之一。TiO2材料由于具有无毒、活性高、便宜、耐紫外光腐蚀、耐强酸、耐强碱和耐强氧化剂等特点而成为应用前景最好的光催化剂。但是,由于TiO2的禁带宽度较大(3.2 eV),在可见光光谱范围内的吸收产率非常微弱。因此,开发新型光催化剂材料和技术以增强对可见光光谱范围的吸收成为当前光催化剂研究领域的热点内
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