本论文工作是围绕国家“973”计划项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”(项目编号：2003CB314900)展开的。光子集成器件相对于分立器件具有尺寸小、成本低、性能优越和可靠性高等诸多优点，已成为光通信和光电子领域科学家关注的研究热点。光子集成技术的进步一方面依赖于半导体工艺水平的提高，另一方面则需要新结构器件的提出及运用。环形波导谐振腔具有尺寸小，结构简单，利于集成，可实现功能多等优点，在未来高密度、大规模的光子集成器件中有很好的应用前景。本文对多模干涉(MMI)型环形波导谐振腔的特性进行了详细的理论分析，设计出了InP／InGaAsP多层结构的MMI型环形波导谐振腔，并初步摸索了它的制备工艺。论文的主要工作内容如下：1．系统总结了目前主要的光子集成技术，介绍了环形波导谐振腔的原理、性能指标及其在光子集成器件中的应用，阐述了多模干涉(MMI)结构的原理与应用；2．在传统传输矩阵分析法的基础上引入MMI耦合器的功率损耗系数，分别推导出单环与串联双环的传输函数的通用公式，并讨论了环形波导的传输损耗系数、等效折射率、MMI耦合器的损耗系数、耦合系数与环形波导半径等参数对输出频谱特性的影响；3．设计MMI型环形谐振腔的外延层及波导结构并进行分析，满足了波导的单模传输、低偏振以及与单模光纤的高效耦合的要求，同时，对MMI耦合器进行设计以获得自由分光比，并对多种设计方法进行分析与比较；4．对设计的器件进行湿法刻蚀试验。首先进行腐蚀液的选取及其对不同材料腐蚀速度的测试，然后根据得到的腐蚀时间对器件进行光刻及腐蚀，最后对实验所得结果进行原因分析。