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SiC作为目前最热门的宽带隙半导体材料之一,在微电子应用领域存在广泛的应用前景.该论文主要讨论了蓝宝石衬底上异质外延碳化硅单晶外延层的研究工作,对碳化硅外延层材料衬底以及缓冲层选择、外延工艺、化学气相淀积理论、以及缺陷等多方面进行了系统的研究.
蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜材料技术研究
【摘 要】
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SiC作为目前最热门的宽带隙半导体材料之一,在微电子应用领域存在广泛的应用前景.该论文主要讨论了蓝宝石衬底上异质外延碳化硅单晶外延层的研究工作,对碳化硅外延层材料衬底
【机 构】
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西安电子科技大学
【出 处】
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西安电子科技大学
【发表日期】
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2002年期
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