Bi_1.5ZnNb_1.5O₇ （BZN）是一种立方焦绿石结构的新型介电材料,具有很低的介电损耗,较高的可调性等特点,而成为一种很有发展前途的微波介质材料。因此,BZN薄膜的制备及其性能研究具有非常重要的应用价值。本论文利用射频磁控溅射方法（RF magnetron supttering）制备Cd掺杂BZCN薄膜,对其生长工艺以及性能等方面展开了系统的探讨和研究,主要结果如下:（1）研究了Cd掺杂BZCN溅射靶材的烧结工艺。并制备了不同掺杂浓度的平面BZCN陶瓷靶材(Bi_1.5Zn_0.9Cd_0.1Nb_1.5O₇、Bi_1.5Zn_0.8Cd_0.2Nb_1.5O₇、Bi_1.5Zn_0.7Cd_0.3Nb_1.5O₇、Bi_1.5ZnNb_1.5O₇)。通过大量的实验,优化了烧结工艺,压制压力为200MP,烧结温度为1100℃,保温3小时。XRD分析表明靶材无杂相,SEM分析发现靶材结构致密无裂痕,相对密度达到90%以上。（2）在Pt（111）/TiO₂/SiO₂/Si基片上制备了结构良好的BZCN薄膜。系统研究了基片温度、溅射气氛、溅射功率等对薄膜表面形貌和结晶情况的影响,优化了BZCN薄膜的生长工艺参数。在溅射气压为4Pa,O₂/Ar比为1/5,衬底温度为600℃下生长,并在700℃的O₂气氛下进行退火30min制备的BZCN薄膜,结晶良好,晶粒大小为45-80nm,表面平整,RMS=1.86nm。（3）制备Au/BZCN/Pt平板结构电容器,测试BZCN薄膜的介电性能。在测试频率为100KHz,外加偏压40V时,得到优化条件下制备的BZCN薄膜的介电常数为183,介电损耗小于0.004,可调率为11.8%。介电常数和损耗随频率（1-100KHz）的变化不大。在二次退火的情况下,可调率升到18.4%,但同时损耗也增大。（4）研究了不同Cd掺杂比例的BZCN薄膜的性能变化。在Bi_1.5Zn_1-xCd_xNb_1.5O₇（x=0、0.1、0.2、0.3）薄膜中,Cd掺杂比例越大,可调率越大,损耗基本不变。研究表明:掺Cd能够增大BZN薄膜的可调性。