Cd_1-xMn_xIn₂Te₄是一种新型的稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductors—DMS）。本文首次用垂直布里奇曼法（VBM）成功地生长出了x=0.1、0.22和0.4的Cd_1-xMn_xIn₂Te₄单晶。采用扫描电镜、x射线粉末衍射仪、ISIS能谱仪和Leica定量金相分析仪研究了CdMnInTe晶锭中相的结构，形貌和组分分布。分析发现，沿晶锭的轴向存在着由两个界面分隔开的三个不同区域。晶锭的初始段为α+β′两相区，末段为β+γ或δ多相区，两段之间为β单相区。其中β相为具有正方黄铜矿结构的Cd_1-xMn_xIn₂Te₄。坩锅加速旋转技术（ACRT）的引入，一方面增大了晶体轴向的组分偏析程度，另一方面极大地降低了晶锭径向的组分偏析程度。用红外透射光谱法研究了组份为x=0.1、0.22和0.4的Cd_1-xMn_xIn₂Te₄晶体的红外光学特性；用范德堡法测量了它们的基本电学参量如电阻率、迁移率和载流子浓度。用超导量子磁强计在5—300K的温度及1特斯拉磁场强度条件下测定了x=0.1、0.22、0.4和0.8的样品的磁化强度随温度以及组分的变化规律。在中红外波段透过率曲线波动很小。其中Cd_0.9Mn_0.1In₂Te₄晶片的透过率保持在61％左右，已非常接近CdIn₂Te₄透过率的理论极限值65％。晶体为p型半导体。随着组分x的增加，Cd_1-xMn_xIn₂Te₄的能隙移向高能端，载流子浓度N_p减少，电阻率ρ增大。Cd_1-xMn_xIn₂Te₄晶体的磁学研究表明，Mn含量越高，晶体的磁化强度M越高。磁化率χ在高温区服从居里—万斯定律，在低温下x≥0.22时χ^-1与温度T的关系曲线向下偏离。Mn²⁺之间存在反铁磁性交换作用，且随x值的增大而增加。与具有相同Mn²⁺浓度的Cd_1-xMn_xTe单晶相比，Cd_1-xMn_xIn₂Te₄晶体的交换积分常数较小。