NEMS谐振器作为痕量传感器在生化检测等领域应用获得广泛关注，而纳米尺度下器件的谐振特性检测成为一个关键技术问题。在硅基谐振器特性的主要检测方法中，压阻检测方法因易于实现、易于与器件集成等优点而应用甚多，但是在纳米厚度的NEMS谐振器上形成压阻器件是实现压阻检测的一个挑战。本文工作主要探索硅纳米谐振器上压阻检测的实现方法，以促进器件的实际应用。本文创新性地提出利用Ar离子选择性注入纳米厚度的双端固支硅纳米梁，以形成压阻器件的技术方案。其基本原理是，注入的高能量Ar离子，破坏了硅梁单侧的原子结构，形成纳米厚度的硅无定形区域。未经退火修复的无定型硅中具有大量的断裂价键，其电导率明显下降，而无Ar离子注入的其他部分则保持原有的原子结构和电导率，在纳米梁的厚度方向上形成电导梯度，从而表现出压阻特性。本文总结介绍了微纳器件相关的主要噪声和阻尼机制，对双端固支梁的谐振频率和其谐振模态进行了理论分析计算，完成了NEMS谐振器的结构设计。在比较分析了微纳谐振器的激励方式的基础上，确定以静电激励作为我们实验的激励方式。同时，介绍了硅的压阻性质，并分析了本文工作所涉及的硅纳米梁器件的压阻电阻变化率。本文采用基于MEMS技术的纳米制造方法，重点分析研究了KOH各向异性腐蚀技术的特点，结合体MEMS工艺中的干法刻蚀等关键工艺，在(111)硅片上制作出了厚度约为200nm的双端固支硅纳米梁。利用Ar离子选择性注入方法，在该硅纳米梁上形成了用于实测的压阻器件。本文设计了静电激励和压阻检测电路系统，实现了双端固支硅纳米梁静态和动态特性测量。静态测量表明，Ar离子注入所形成的压阻电阻，相对静态偏置电压的具有0.5％／V左右的变化率。在大气下，实现了双端固支硅纳米梁的谐振特性的检测，得到谐振频率为400KHz，Q值为7.9；对硅纳米梁进行退火后可以获得更高的Q值，达394。我们认为，适度的退火可以对Ar离子注入损伤进行部分修复，降低能量耗散，在保持压阻特性的同时可提高Q值，有利于器件的实际应用。