【摘 要】
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在制造工艺中，化学机械抛光(CMP)是一种用来实现晶圆平坦化的技术。虽然CMP具有良好的平坦化效果，但是由于下层版图图形密度的不均匀，会导致抛光后电介质厚度的变化不均匀。冗余
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在制造工艺中，化学机械抛光(CMP)是一种用来实现晶圆平坦化的技术。虽然CMP具有良好的平坦化效果，但是由于下层版图图形密度的不均匀，会导致抛光后电介质厚度的变化不均匀。冗余填充是应用非常广泛的CMP平坦化增强技术。可是加入这些冗余填充对互连线之间的耦合电容会产生较大的影响。本文给出了一种基于边界元法(BEM)的矩形冗余填充耦合电容提取方法。首先，提取矩形冗余填充模块与互连线模块的模型参数，其次，基于该参数数据，利用间接边界元法互连线与冗余填充的电容矩阵，最后，根据电容的串并联原理计算出在添加了矩形冗余填充之后互连线之间的耦合电容的具体数值，完成耦合电容的提取。该方法速度快，精度高，应用方便，可用于冗余填充耦合电容的提取。
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