为了将SiC材料的优点和SOI技术优势有机结合,本文提出了一种新的SiCOI（Silicon Carbide On Insulator）结构,并利用二维器件模拟软件ISE-TCAD对器件的各种特性进行了模拟分析。首先结合SiC材料的特点,选取了适于SiC器件模拟的物理模型,建立了4H-SiC材料参数组,为后续器件的模拟分析奠定基础。调用ISE二维器件模拟软件的器件模拟模块,针对所设计的SiCOI MESFET的转移特性进行了模拟分析,得到了如下规律:当器件沟道区厚度从0.13μm增大到0.3μm时,器件的阈值电压从-1V变为-4.4V;若器件门极栅长设定为1μm至3μm时,器件的阈值电压变化为-5.5V至-4.9V;器件源层掺杂浓度从8×10¹⁶/cm³提高到1.2×10¹⁷/cm³时,器件的阈值电压从-3.1V变为-6.2V。这表明器件结构对器件性能影响显著。通过对器件输出特性和击穿特性的模拟,得到了不同条件下器件的特性曲线。模拟发现减小门极栅长、增大有源层厚度,有助于改善器件的输出特性;同时发现SiCOI具有比较好的击穿特性。对SiCOI MESFET的温度特性也进行了模拟分析,研究了温度对器件电学特性的影响。本文在半导体器件模拟等方面的工作为更加深入的研究SiCOI MESFET器件奠定初步的基础。