近年来,随着纳米碳材料研究的飞速发展。石墨烯和石墨烯纳米网作为重要的纳米碳材料被广泛地用于集成电路、透明导电电极、场效应晶体管、储能材料等诸多领域。目前,制备石墨烯及其纳米网的方法多种多样。其中,化学气相沉积法以其可以制得高质量大面积的石墨烯的优点而越来越受到人们的关注。本论文以化学气相沉积法作为基本实验方法,通过调控工艺参数制备出高质量石墨烯,并且系统地分析了传统化学气相沉积法中的不足,进一步优化了石墨烯的生长和转移工艺。在某些实验环节中创造性的提出更为简单高效的方法,从而降低了石墨烯的制备成本。主要研究内容有以下三个部分：(1)石墨烯的生长和工艺优化：以高纯铜箔作为生长基底,在高温下使甲烷催化裂解并使其在铜箔表面生长成为石墨烯。分析了甲烷和氢气在石墨烯生长中的作用,并通过调控二者的浓度比例来提高石墨烯的质量。研究了铜箔表面质量对石墨烯生长初期成核密度的影响。此外,还对大尺寸单晶石墨烯的生长进行了相关研究。(2)石墨烯转移工艺的优化：研究分析了在腐蚀液溶解铜箔过程中,铜箔下表面石墨烯对石墨烯转移的影响。提出一种新的电化学方法来去除金属基底下表面的石墨烯,这种方法简单易行,避免了贵重设备的使用,而且在去除下表面石墨烯的过程中对铜箔上表面石墨烯无损伤。(3)石墨烯纳米网的制备：总结在近年来制备石墨烯纳米网的主要方法的基础上分析了不同方法的优缺点,通过控制在高温过程中引起硅氧化物在铜箔上的沉积过程,利用其起到的掩膜作用,实现了石墨烯纳米网的无光刻一步法制备。