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得益于材料科学和先进微纳米加工工艺的进步,近年来柔性电子发展迅速。柔性电子不仅弥补了传统固体电子的不足,同时其也是电子学一个新兴的重要分支,有助于拓展整个电子学的应用范围。学术界陆续报导了许多柔性电子的应用,但目前为止,有关柔性微机电系统一(MEMS)的报导还很少。在众多的MEMS器件中,声表面波(SAW)器件是最简单的一种MEMS器件,它与另一类MEMS器件一薄膜体声波谐振器(FBAR)一起,常用作传感器来使用。本文研究了在柔性聚酰亚胺(PI)和聚对苯二甲酸乙二酯(PET)上通过磁控溅射方法沉积具有大晶粒尺寸且具有良好(0002)晶体取向的ZnO薄膜的制备方法,研究了该种ZnO薄膜的特性。并成功地在ZnO/PI和ZnO/PET复合基板上制备出高性能的柔性SAW器件。所制备的柔性SAW器件具有两个主要的谐振模态,分别对应于广义兰姆波(Lamb Wave)的0阶对称和反对称模态。论文探讨了ZnO薄膜厚度、器件波长和叉指电极间距对这种柔性器件的影响。由于制备在柔性基板上,该种器件可以弯折,在最大应变量为2500με的情况下,其可弯曲次数超过100次,这表面该种器件可作为柔性器件来使用。同时本文还研究了这种器件在温度、湿度、紫外光和应变传感等领域的应用,器件对这些外部参数反应敏感,其特性不逊于类似的固体基板上的SAW传感器。初步揭示了柔性SAW器件在传感领域的应用前景。本文还研究了另一类高频声波器件FBAR,所研究的FBAR器件制备于硅衬底上,采用体硅背面刻蚀型结构。由于使用Si02作为支撑层,所制备的器件呈现两个主要的谐振频率。在这一基板结构的基础上,本文提出一种带密封腔的新型FBAR压强传感器结构,这主要通过用硅片密封器件背面沟槽来实现。本文研究了这种带密封腔的FBAR传感器在不同温度和压强下的响应,其两个谐振频率随温度和压强变化呈线性变化。这说明可以使用单一FBAR器件来同时测量温度和压强。这种双模态FBAR器件结构简单、造价低廉且无需特殊封装,具有广泛的应用前景。