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随着科学技术的飞速发展,特别是上世纪70年代以来电子半导体器件的发展,人们对电子器件的需求越来越广泛.而铁磁体/有机半导体材料成了电子器件研发的主要课题.铁磁体/有机半导体具有易合成,存储量大等特点被广泛应用于实验及研究.本文通过理论模型分析与计算,采用Slonczwski的自由电子模型理论,利用量子隧穿方法来研究铁磁体(FM)/有机半导体(OSE)/铁磁体(FM)双隧道结磁电阻(TMR).在双隧道结磁电阻中,有机半导体(OSE)看成方势垒,通过Rashba自旋-轨道耦合效应、转移矩阵法求出透射系数和隧穿磁电阻.当自旋-轨道耦合强度为2.0,磁化偏角为0时,隧穿磁电阻取得较小值,磁化偏角为π/2时,隧穿磁电阻取得最大值,磁化偏角为π时,隧穿磁电阻取得最小值.当磁化偏转角为%,耦合强度为0时,隧穿磁电阻取得较大值,耦合强度为1.0时,隧穿磁电阻取得最小值,耦合强度为2.0时,隧穿磁电阻取得最大值；当磁化偏转角度为%,耦合强度为0时,隧穿磁电阻取得最小值,耦合强度为2.0时,隧穿磁电阻取得最大值;当磁化偏角为2π/3,耦合强度为0时,隧穿磁电阻取得最大值,耦合强度为2.0时,隧穿磁电阻取得最小值.在内部电场作用下,当耦合强度为2.0,磁化偏角为0时,隧穿磁电阻随着自旋极化率增大呈现线性增加；磁化偏角为π时,隧穿磁电阻随着自旋极化率增大呈现线性减小.在外部电场作用下,当耦合强度为1.5,外加偏压为0.2V,磁化偏角为0时,隧穿磁电阻取得较小值,磁化偏角为π/2时,隧穿磁电阻取得最大值,磁化偏角为π时,隧穿磁电阻取得最小值.当耦合强度为3.0,磁化偏角为π/4,外加偏压为0时,隧穿磁电阻取得最小值,外加偏压为0.8V时,隧穿磁电阻取得最大值；当耦合强度为3.0,磁化偏角为π/2,外加偏压为0时,隧穿磁电阻取得最大值,外加偏压为0.8V时,隧穿磁电阻取得最小值；当耦合强度为3.0,磁化偏角为3π/4,外加偏压为0时,隧穿磁电阻取得最小值,外加偏压为0.8V时,隧穿磁电阻取得最大值.在实际工作中,由于铁磁体/有机半导体多层膜隧穿磁电阻受到自旋极化子、自旋耦合强度、外加偏压等因素影响,我们通过改变任意一个因素,便可以获得不同用途的磁性半导体材料.