随着便携式电子产品朝小、轻、薄的方向发展，多层片式结构在压电变压器、扬声器和滤波器等方面得到广泛应用，其关键技术是陶瓷材料和内电极间的匹配。鉴于内电极用贱金属银高电导率、低熔点（960℃）的特点，与之共烧的陶瓷材料在具有高压电常数d₃₃、高机电耦合系数K_p、低介电损耗tanδ和低机械品质因数Q_m等电学性能的同时，还必须具有较低烧结温度。本文以综合性能优良的Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃-Pb（Zr,Ti）O₃压电陶瓷为研究对象，开展了陶瓷低温烧结特性的研究。首先，对Zr/Ti比和PNN/PZT比进行调整，以优化Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃-Pb（Zr,Ti）O₃陶瓷配方。实验结果表明，当Zr含量为0.41，PNN含量为0.35时，0.35Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃-0.65Pb(Zr_0.41Ti_0.59)O₃（PNN-PZT）陶瓷在1230℃烧结的综合性能最佳：d₃₃=629pC/N，K_p=0.75，Q_m=66，ε₃₃^T/ε₀=3860，tanδ=0.0134。在上述基础上，为实现陶瓷的低温烧结，分别选取0.5PbO-0.5B₂O₃玻璃和0.1wt.%CuO-xwt.%LiBiO₂作助烧剂，研究了不同含量助烧剂对PNN-PZT陶瓷的烧结特性、相结构、微观形貌及电性能的影响。研究表明，当0.5PbO-0.5B₂O₃玻璃添加量为0.5wt.%时，陶瓷在1060℃致密烧结，综合性能最佳：d₃₃=479pC/N，K_p=0.55，Q_m=79，ε₃₃^T/ε₀=2904，tanδ=0.0166；当添加0.1wt.%CuO-1wt.%LiBiO₂助烧时，烧结温度可降至1000℃，且综合性能较0.5wt.%0.5PbO-0.5B₂O₃玻璃助烧时更优：d₃₃=538pC/N，K_p=0.62，Q_m=61，ε₃₃^T/ε₀=3381，tanδ=0.0161。最后，选择PNN-PZT+0.1wt.%CuO-1wt.%LiBiO₂作为研究对象，采用过量PbO掺杂的方法，以消除PbO挥发不可完全抑制对陶瓷电性能的影响。研究发现，PbO过量4wt.%时，陶瓷烧结温度从1000℃降至980℃，且压电性能提高：d₃₃=567pC/N，K_p=0.61，Q_m=62，ε₃₃^T/ε₀=3442，tanδ=0.0154。本文得到的低温烧结压电陶瓷综合电性能良好，适用于多层压电扬声器。