石墨烯作为二维材料的典型代表,由于其特殊的结构和物理化学性质,吸引了众多科学家的兴趣。但是其零带隙特征限制了它的运用领域。二硫化钼作为最典型的过渡金属硫化合物,具有热稳定性与化学稳定性好、机械强度高、柔韧性大、透明度高以及超高的载流子迁移率。并且单层二硫化钼为直接带隙半导体,具有极其优越的光电特性和超高的器件开关比,成为构筑下一代更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学与光电子学器件的理想材料。论文采用传统常压CVD法制备二硫化钼,得到的样本呈现出一维纳米点,二维(或低维)薄膜,三维体材料共存的结果,无法相互区分。这些结果表明制备出的样本无法进一步在器件合成中得到应用。作为改进论文采用双层衬底叠加的方法,通过长时间的反应时长,实现高温等离子体在两片衬底内的狭小空间内成核集聚。实验重点放在对衬底的表面修饰与预处理上,通过多次实验发现在食人鱼溶液处理过的衬底上覆盖OCA材质的粘性胶带,以实现分散的种子层分布,更易于得到高品质的二维硫化钼。通过表征的结果表明:生长出的二硫化钼已经近似达到单层,在样本的特定区域横向尺度可达毫米级。另外,论文从维度入手介绍了三种维度下二硫化钼的性质及用途,交代了常用的纳米材料表征方法以及层状二硫化钼的制备方法。在前人的计算基础上,对不同类型应力下二硫化钼电子结构的调控加以总结概括,并且采用泛函密度理论、范式守恒赝势法和梯度近似推导了一种新型二维材料——砷烯的应力下的振动模式,以及应力过程中的拉曼光谱变化。