半金属颗粒复合体系中的磁电容效应

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由于“半金属”(half-metal)的传导电子具有100%的自旋极化率,使得由它所组成的异质结构的电阻对磁场显示出极高的敏感性,呈现出高的磁电阻效应。实验上发现,通过在半金属氧化物中引入各种绝缘氧化物、金属或高分子聚合物等,可以在一定程度上增强材料的磁电阻效应。半金属颗粒复合体系的磁电阻效应及其它一些重要的磁输运特性,成为近年来的研究热点。最近,在磁性颗粒复合体系中又发现了磁电容效应,其机理是一个正在探索中的新问题。由于半金属颗粒复合体系的电阻在很小的磁场下就会发生明显的变化,本文从具有高磁电阻效应的半金属颗粒复合体系中寻找大的磁电容效应,探讨磁电阻机制诱导的磁电容效应。 Catalan应用Maxwell-Wagner模型结合磁电阻效应机制导出了磁性颗粒复合体系中的磁电容效应,随后Lawes、Tackett等人又在实验中得到了证实,提出了无磁电耦合机制的磁电容效应。本文在Catalan工作的基础上,从颗粒复合体系的微观结构,讨论磁电阻诱导的磁电容效应。对于非对称性微观结构,应用Maxwell-Garnett理论(MGT)结合磁电阻效应,区分诱导磁电阻的两种散射机制——体散射和界面散射,讨论无磁电耦合的颗粒复合体系中磁电容与外加磁场的关系;相对介电常数与介电损耗的正切值与外电场频率之间的关系,分析了在低浓度下组分的体积分数对颗粒复合体系磁电容的影响。另外,通过透射电子显微镜在实验上可以观察到颗粒复合体系中颗粒的尺寸并不是均匀的,存在一定的尺寸分布。把MGT理论推广到具有一定尺寸分布的颗粒体系,在MGT理论中引入偶极因子和颗粒尺寸分布函数,研究了在不同的颗粒尺寸分布宽度下磁电容与外加磁场的关系以及磁电容与组分体积分数之间的关系,讨论了组分电导比值对磁电容的影响。对于对称微观结构的磁性颗粒复合体系,应用有效介质近似(EMA)研究了具有对称性的微观结构中磁电阻诱导的磁电容效应。讨论了对称微观结构体系中磁电容与磁场的关系;外加电场频率对颗粒复合体系的相对介电常数及介电损耗的影响以及考虑逾渗对磁电容的影响。
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