ReS2纳米片的制备及其异质结光催化性能研究

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量子限制效应是普遍存在于半导体材料纳米中的,一般来讲,受到此效应影响的过渡金属硫族化合物(TMDCs)纳米材料,会从间接带隙转变为直接带隙,这一特性的变化使传统的TMDCs在光电等多个领域具有优越的性能和应用。然而,大规模制备精确控制层数的单层半导体材料的仍然是一个挑战,这就限制了其进一步的应用。二硫化铼(ReS2)作为一种带隙不随着半导体层数的改变而受到影响的直接带隙半导体,在近年来引起了广泛的关注。所以,在纳米尺寸时,具有合适的带隙以及几乎所有可见光吸收的ReS2块体材料的性能可以得到很好的保护,与此同时材料的比表面积可以大幅增加。因此,ReS2纳米材料在光电化学领域引起了极大的兴趣,并得到了深入的研究。但对于在其他领域的进一步应用,大规模的制备方法是必不可少的。然而,大规模制备无掺杂的ReS2纳米片的研究方法还没有得到很好的证实,其在太阳光下的助催化性能也还没有得到研究。因此,我们迫切需要先进的生产技术去制备ReS2纳米片,同时,填补ReS2在助催化领域的空白也是必不可少的。本文章报道了在纳米材料科学中,一种基于传统的液体剥离技术的合适方法,能够实现ReS2纳米片的大规模制备,这种液态剥离技术生产出的ReS2纳米片,可以随着比表面积增加,降低材料成本同时显著改善ReS2的各方面光电化学性能,从而为进一步研究其他领域的ReS2提供基础。本文主要研究成果:a)与以往的报道相比,该方法能明显地表现出ReS2纳米片的几何特性,并且能够很好地保持ReS2块体的质量。与此同时,随着比表面积的增加,ReS2材料的性能得到了极大的提高,这对我们日常生活中ReS2的利用具有现实意义。b)一种简单的制备工艺首先实现了无掺杂ReS2纳米片的大规模制备,大大降低了制造成本和材料成本。此外,所制备的ReS2纳米片稳定且易于提取。因此,大大提高了该材料的实用性和可扩展性为,其在其他领域的进一步应用提供了可能。c)我们的方法中,成功大规模制备出了无杂质的纯净TiO2@ReS2纳米复合材料,并且证明了此种复合材料具有突出的光催化能力。TiO2光催化活性的增强机理得到了很好的阐明,这证明了ReS2纳米片通过提供可见光的吸收来产生协同催化能力。因此,ReS2纳米片具有优异的光电性能、优异的稳定性和较低的材料成本,这为ReS2材料在其他领域的潜在应用带来了可能性。
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