一维半导体纳米结构材料作为构建纳米集成器件最基本的结构单元之一,一直被公认为是下一代纳米光电器件与集成电子系统的基础和重要候选对象。半导体带隙是光电材料的最重要参数之一,它决定了半导体纳米材料发光性能以及光吸收性能。然而,由于在自然界中纯天然的半导体带隙种类非常有限,因此造成纳米材料在器件制造以及应用方面带来了很多不便。我们通过特殊的实验手段将不同带隙的半导体材料制备在单根纳米线上,并且实现了带隙连续递变,在此基础上,我们利用改进的化学气相沉积方法合成了一种新型的高质量的ZnS_0.49Se_0.51/ZnSe异质结纳米线。这是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族异质结纳米材料,其带隙可以在2.7eV到3.0eV范围内调制。然后对该材料进行了相应的光电性质研究,主要研究结果如下:（1）采用化学气相沉积法,以Au为催化剂,在Si片上通过改变生长条件,分别合成ZnS纳米线和ZnSe纳米线。通过XRD、PL并对样品进行了表征和研究,结果发现所制备的ZnS、ZnSe纳米线具有很好的结晶度和性能,并且简单探讨了ZnS和ZnSe纳米线的生长机制。（2）利用源移动的化学气相沉积法制备成了ZnS_0.49Se_0.51纳米线,通过XRD、PL表征说明所制备的ZnS_0.49Se_0.51纳米线具有良好的结晶性和发光性质,并且简单探讨了ZnS_0.49Se_0.51纳米线的生长机制。（3）利用源移动化学气相沉积的方法两步合成合成了ZnS_0.49Se_0.51/ZnSe异质结纳米线。通过SEM、PL、UV、XRD、TEM、XPS的表征说明所制备的异质结具有较好的结晶度和很好的形貌、发光特性,将生长的ZnS0.49Se0.51/ZnSe异质结纳米线做成器件,通过测试发现具有较好的光响应度和量子效率,并且在360nm到480nm左右有宽度光谱探测。