氧化锌薄膜材料的MOCVD生长及其特性研究

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我们用自己设计的MOCVD 系统在蓝宝石和硅衬底上生长高质量的ZnO 薄膜,并对利用表面预处理和生长缓冲层的方法提高ZnO 薄膜质量作了详细的研究,获得了较好的结果。通过测量氧化锌薄膜XRD 谱,分析表面预处理对ZnO 薄膜结晶的质量影响。经过氮气气氛下射频处理和氧气气氛处理后样品的X 衍射峰值都变高,曲线半高宽由0.22°分别减小到0.16°和0.18°,说明表面预处理可以改善氧化锌薄膜的结晶质量。在硅衬底上,比较有缓冲层样品和无缓冲层样品的XRD 谱,可知硅衬底上生长缓冲层的氧化锌薄膜的衍射峰明显要比无缓冲层的氧化锌薄膜的衍射峰高,并且,半高宽也由0.21°减小到0.18°,这说明利用低温氧化锌缓冲层明显改善了氧化锌薄膜的质量,低温缓冲层可以减小氧化层和晶格失配对氧化锌薄膜的影响。这些对生长高质量的ZnO 薄膜、制备相应的发光器件有一定的意义。
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