薄膜晶体管(TFT)作为平板液晶显示器(LCD)的核心元件,在提高液晶显示器的显示性能及拓宽显示应用领域上具有举足轻重的地位。传统的非晶硅有源层薄膜晶体管器件由于迁移率较低(-1cm2/V·s),受可见光影响较大,且价格居高不下,亟需发展新型的薄膜晶体管器件。本论文首先概述了薄膜晶体管的研究进展和现状,介绍了TFT的结构和工作原理,提出了目前TFT存在的问题。在氧化钽绝缘层薄膜晶体管的制作阶段,本论文从TFT的有源层,绝缘层的最佳厚度,以及最佳退火时间三部分来研究,最终确定了有缘层ZnO和绝缘层Ta2O5的最佳厚度分别是250nm,50nm,最佳退火时间是15min。并得到了一个较好的器件性能：阈值电压为8.8V,亚阈值摆幅为4.38V/decade,电流开关比为2.4×1004。论文进一步采用HfO2作为TFT中的绝缘层,发现性能优于Ta2O5作为绝缘层的TFT,阈值电压为3V,亚阈值摆幅为1.78V/decade,电流开关比为1.7×104。对于HfO2作为绝缘层的TFT,我们比较了电极材料(Au和Al)的影响,结果表明铝电极比金电极有更好的器件性能。本论文最后制作了一个三明治结构的TFT,以Al2O3-Ta2O5-Al2O3作为绝缘层,期望得到比之前更好的性能。最后得到的器件阈值电压为3V,电流开关比大于1.7×101,器件性能没有得到提高,分析原因可能是中间的Al2O3层太薄了,导致泄露电流增大。