【摘 要】
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该文首先叙述了HBT的特性、结构设计、典型材料结构、制作工艺以及GaAs基异质结双极晶体管结构的研究状况,然后详细描述了分子束外延设备原理和构造,最后研究了GaAs基AlGaAs/
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该文首先叙述了HBT的特性、结构设计、典型材料结构、制作工艺以及GaAs基异质结双极晶体管结构的研究状况,然后详细描述了分子束外延设备原理和构造,最后研究了GaAs基AlGaAs/GaAs,InGaP/GaAs,InAlAs/InGaAs/GaAs三种HBT材料生长和器件制作及其特性.主要内容如下:1.由于AlGaAs和GaAs晶格常数十分接近,材料生长和器件制备都比较成熟,研究AlGaAs/GaAs HBT可为其他新型HBT材料研究奠定基础.2.作者在总结了InGap/GaAs HBT的优点、研究进展以及InGaP的合金有序度的表征之后,对国内在MBE系统上首次引进分解GaP产生P这一新型固态P源生长InGaP外延层的主要工艺参数(低温缓冲层生长条件,高温生长温度)进行了优化,得到能生长高质量InGaP的外延层工艺条件,该条件下生长的InGaP外延层低温荧光不仅半峰宽(5.26meV)是目前报道最小的,而且峰值(1.998eV)接近最大值(2.01eV),说明其合金有序度是相当低的.3.GaAs基InAlAs/InGaAs/GaAs HBT (MM HBT)由于兼备GaAs的相对低成本和InP HBT的高频等优点,有着广泛的应用前景.作者根据以前我们实验室生长MM MEMT实验结果,设计并生长了In<,0.29>Al<,0.71>As/In<,0.3>Ga<,0.7>As/GaAs单异质结HBT和双异质结HBT结构材料,对制作的大尺寸的器件的直流特性进行了测试和分析.MM HBT是一个非常值得研究的方向.
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