Trench-FS结构是IGBT器件发展过程中所提出的一类非常重要结构，其通态损耗与开关损耗、通态损耗与器件耐压之间具有很好的折中关系，可广泛应用于消费、工业控制等领域。迄今为止，市场上所见的Trench-FS IGBT产品都是如Infineon、Toshiba等国外大公司推出的，该结构的制作核心技术都掌握在这些国外大公司手里，国内的Planar结构的IGBT的商业化处于起步阶段，对Trench-FS结构IGBT的研制还处于摸索时期。和国内某知名工厂合作，提出一种1200V Trench-FS IGBT器件的设计与制造方法，并且进行试验。文中围绕着1200V Trench-FS IGBT研制工作展开描述。1、首先对IGBT及具有Trench-FS结构IGBT的工艺原理进行分析讨论，然后结合工艺线特点，进行Trench-FS结构IGBT的工艺流程、器件元胞与终端结构设计，其后完成版图并进行流片。所设计的工艺流程为：先进行背面FS层的制作，然后进行正面（元胞、终端）的制作，最后背面的P+注入，金属化。2、对所研制的1200V Trench-FS IGBT器件进行了静态参数与动态参数的测试分析。测试结果为：耐压1288V、正向导通压降2.29V、阈值电压6.20V、开启延迟时间51.7ns、开启上升时间46.5ns、关断延迟时间173ns、关断下降时间101ns。该指标和国外同类产品的指标基本一致。本文的研究成果对推动我国Trench-FS结构IGBT的产业化具有一定的作用，在完善工艺及结构的基础上，提高良率，最终可以很好的形成产品。