半导体纳米材料作为表面增强拉曼散射（Surface-enhanced Raman Scattering, SERS）的活性基底不仅扩宽了SERS基底的材料,还对SERS增强机制的研究起到了重要的作用。我们研究组经过几年的大量工作已经在CdTe、Pb3 O4、ZnO和TiO₂等纳米半导体材料上观测到了SERS活性,并且很好地验证了“Semiconductor-to-molecule”的电荷转移模型。本论文利用溶胶-水热法制备了几种半导体纳米粒子,并将其作为SERS的活性基底,并得到了一些创新性结果,其主要研究成果如下:（1）采用溶胶-水热法合成了粒径均匀的SnO₂纳米粒子,并在吸附了4-巯基苯甲酸（4-MBA）分子的SnO₂纳米粒子上观测到吸附分子的增强Raman信号。通过分析研究可知表面缺陷程度和SERS活性成正比,表面缺陷程度越大SERS活性越好。（2）为了进一步提高SnO₂纳米粒子作为SERS活性基底的增强能力,进行了Zn掺杂的SnO₂纳米粒子作为SERS活性基底的研究。结果表明,随着Zn掺杂量的增加,SnO₂纳米粒子的SERS活性逐渐增加。由于Zn的掺杂能够提高SnO₂纳米粒子的表面缺陷程度,进而进一步证明了SnO₂的表面缺陷在其SERS活性中起着至关重要的作用。我们还对Zn掺杂的SnO₂纳米粒子的增强能力进行了估算,其增强因子高达1.0×10⁴。（3）成功地在ZrO₂纳米粒子上观测到了探针分子4-MBA的SERS现象,并且随着对ZrO₂纳米粒子煅烧温度的升高,Raman信号呈现出先增强后减弱的变化规律。