随着科技的发展,人们对未来器件的要求是尺寸更小、集成密度更高、耗能更低。纳米器件代替微米器件将是器件发展的趋势。一维纳米半导体材料既可以作为器件元件,又可以作为连接器件元件的导线,因此被广泛的用来构筑纳电子器件。在众多的半导体材料中,一维ZnO纳米材料不仅具有良好的化学稳定性、力学稳定性、较大的比表面积,而且具有良好的光电特性和压电特性,因而在环境检测、电子器件和新能源领域有着广泛的应用。在构筑器件时金属电极与半导体材料的接触是无法避免的问题。当金属与半导体材料形成肖特基接触时,器件的性质主要受肖特基势垒的控制。对于块体肖特基势垒的研究已经非常成熟,理论与实验符合很好。但是用宏观的势垒模型对纳米尺寸接触面积的肖特基势垒进行解释时,发现理论计算与实验结果差别较大。这主要由于纳米器件接触面积较小,而传统模型的假设是基于无限大平面。另外,肖特基势垒还受接触方式的影响,一维纳米半导材料与电极的接触方式有横向接触和轴向接触两种。由于工艺条件的限制,常见的一维纳米器件的接触方式为横向接触,即接触面与纳米带/线的长轴方向平行。当对横向接触的肖特基器件施加偏压时载流子不仅沿着轴向输运,还会有垂直轴向的输运。虽然人们对于一维纳米肖特基势垒进行了广泛的研究,但大多数只是对肖特基势垒的有效高度进行提取。肖特基器件的输运特性不仅受势垒高度控制,同时还受势垒结构的影响。对一维肖特基势垒结构的研究有利于我们更清楚的了解一维肖特基器件的输运机制,同时能够为我们设计优良性能的肖特基器件提供指导。在本论文中,首先利用化学气相沉积法(CVD)制备出形貌均匀、结晶度好的ZnO纳米带/线。通过使用SEM、XRD、PLD等对ZnO纳米带/线的形貌、结晶性、晶型等进行了表征,结果表明我们生长的ZnO纳米带/线,相对均匀、结晶性较好、为六方纤锌矿结构、产量较高。用微探针辅助转移构筑了单根ZnO纳米带/线器件并对其电学性质进行测试,由I-V曲线可得ZnO纳米带/线与电极形成了不对称的背靠背的肖特基接触。此外,我们简要介绍了模拟软件计算流程和使用到的物理公式和模型,建立了二维肖特基器件结构模型。其次,我们利用微探针测量系统对于不同载流子浓度的ZnO纳米带/线器件肖特接触微区的电势进行了测量。测量结果表明不同浓度的肖特基器件的电阻的分压都是随着反向偏压的增大而增加。当载流子浓度较高的时,耗尽层较小:当载流子浓度低时,发现了器件的横向夹断效应,并且当反向偏压增加时发现耗尽层横向耗尽后会向轴向进行扩展。同时利用ATLAT模拟软件采用二维肖特基器件结构模型对上述问题进行理论模拟,模拟结果与实验结果符合较好。模拟结果显示,肖特基接触微区半导体材料内部的电极,沿轴向方向电势分布不均匀,沿横向方向耗尽程度不同。最后,我们采用半导体模拟软件分析了隧穿模型和迁移率模型下的I-V曲线。在发现横向未耗尽时,隧穿模型下I-V曲线向上弯曲,迁移率模型下的I-V曲线向下弯曲。隧穿模型下I-V曲线有更加丰富的形状是由于不同偏压下的电流密度的分布不同。另外,我们考察了不同载流子浓度、电极长度、势垒对器件输运特性的影响。结果表明,高载流子浓度下更容易发生隧穿效应,电极长度对于隧穿模型下的器件的输运影响较小,对于迁移率模型下的输运影响较大。同时电极长度越长,器件的横向夹断效应越明显。势垒对两种模型下的器件的影响都很大。电流随着势垒高度的降低成指数倍的增加。