Bi2Te3基纳米材料制备及光电性能研究

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宽波段探测器因可以感知多个波段的光信号,在远程遥感、环境监测和军事侦察等领域均有重要的应用价值。Bi2Te3作为一种典型的窄带隙拓扑绝缘材料,理论禁带宽度为0.145 e V,截止吸收带边在红外波段,有望发展成为宽波段光电探测器研究领域的一种候选材料。此外,Bi2Te3材料的物理化学性质稳定且合成方法众多,本文中关于Bi2Te3材料的制备方法主要从材料的结晶质量和工艺成本角度考虑,采用水热法作为碲化铋及其异质结的制备方法。本文主要从Bi2Te3纳米片制备、Bi2Te3基异质结的构筑、器件性能三个方面进行研究,主要研究内容如下:采用水热法制备出尺寸约为500 nm的六边形纳米片。优化了Bi2Te3纳米片合成工艺,研究不同添加量的形貌修饰剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、氢氧化钠的浓度以及反应时间对产物形貌和结构的影响。以Bi2Te3纳米片作为基础,不同的水热方法制备Bi2Te3/Graphene和Bi2Te3/Sb2Te3两种异质结。对Bi2Te3/Graphene异质结的晶体结构、形貌特征、元素分布等表征分析,结果表明制备的Bi2Te3与Graphene形成异质结;对制备的Bi2Te3/Sb2Te3异质结进行相应的晶体结构、形貌特征、元素分布和组成等分析,结果表明形成了具有核壳结构的异质结纳米片。将Bi2Te3纳米片及其异质结制备为三明治结构的光电化学(PEC)型光电探测器并研究器件性能。Bi2Te3纳米片光电探测器具备紫外-可见-近红外的探测能力,在30 m W/cm~2时光谱响应优异,主要归因于高比表面积的纳米片与电解液中氧化还原对充分接触反应;对Bi2Te3/Graphene异质结PEC探测器的测试分析表明,添加1 mg氧化石墨烯的BG1探测器在各项性能指标均优于纯相的Bi2Te3样品。能带结构分析表明,Bi2Te3/Graphene异质结形成能增加Bi2Te3中光生电子的数量,从而提高纯相Bi2Te3样品的光响应性能;对Bi2Te3/Sb2Te3异质结探测器的测试分析表明,异质结的壳层Sb2Te3有较大的界面转移电阻,使得异质结分离的光生电子与电解液复合反应,进而异质结的光响应性能低于纯相的Bi2Te3样品。
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