本文从GaN基大栅宽HEMT器件的生产制造和GaN基耿氏二极管的结构设计和关键工艺等方面进行了详细的研究。一方面对GaN/AlGaN异质结大栅宽HEMT的结构进行了制造,并且根据理论的分析推测其工作在高频大功率的设计原则和影响因素,据此设计了不同栅宽的GaN/AlGaN异质结HEMT器件,给出了制备大栅宽HEMT的工艺步骤和方法以及制备后器件管芯图和经过封装连接后的完整HEMT器件图,并且对不同栅宽的GaN/AlGaN异质结HEMT进行了直流特性以及主要是交流特性的测试,对比了不同栅宽下GaN/AlGaN异质结HEMT的工作参数。另一方面对GaN基耿氏二极管的内部工作机理进行了理论研究尤其是耿氏二极管赖以工作的机理速场关系模型,掺杂浓度和渡越区长度的关系结合以前的研究进行了总结拟合得出了设计制造GaN基耿氏二极管的原则只有掺杂浓度与渡越区长度之积在两条临界线之间的区域才能产生耿氏振荡。并且利用模拟软件SILVACO对GaN基耿氏二极管和传统的GaAs基耿氏二极管对于新旧两种相同的工作结构进行模拟仿真对比得出在两种相同的工作结构下GaN基耿氏二极管比传统GaAs耿氏二极管在工作频率和输出功率上都远远优秀。并且针对制造GaN基耿氏二极管的主要关键问题GaN的欧姆接触问题,提出了两种改进欧姆接触制造的新型工艺方法以减小欧姆电阻的比接触电阻率这一影响GaN基耿氏二极管的主要参数。一种是新型的二次退火工艺,利用新的高温二次快速退火工艺我们对比与传统退火工艺后的欧姆接触形貌图对比明显可以看出新型二次退火工艺能够改善欧姆接触形貌,并且对比两种不同的工艺步骤可以看出新型的二次退火工艺能够显著降低欧姆接触电阻率。另一种是采用新型溶液王水在制作欧姆接触之前对溅射区域进行表面处理,经过实验,对比了使用王水对欧姆接触区域进行沸煮处理和使用浓HCl以及不使用酸性溶液处理,这三种不同的方法制作出的欧姆接触的比接触电阻率的大小。通过数据可以明显看出通过王水沸煮这种新型工艺步骤能够有效的降低欧姆电阻的比接触电阻率,提高器件性能。