【摘 要】
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新型负热膨胀(Negative thermal expansion，简称NTE)材料ZrW_2O_8是近年来新材料领域的研究热点之一，由于该材料在0.3K～1050K很宽的温度范围内具有各向同性负热膨胀效应，因此在微电子、光学、通信、医学等领域具有广阔的应用前景。目前，ZrW_2O_8粉体和块材的制备及性能研究已趋于成熟，但对薄膜态ZrW_2O_8的研究尚处于起步阶段。本文围绕着ZrW_2O_8薄
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新型负热膨胀(Negative thermal expansion，简称NTE)材料ZrW_2O_8是近年来新材料领域的研究热点之一，由于该材料在0.3K～1050K很宽的温度范围内具有各向同性负热膨胀效应，因此在微电子、光学、通信、医学等领域具有广阔的应用前景。目前，ZrW_2O_8粉体和块材的制备及性能研究已趋于成熟，但对薄膜态ZrW_2O_8的研究尚处于起步阶段。本文围绕着ZrW_2O_8薄膜的合成及其性能开展了相关的研究工作。本研究采用射频磁控溅射方法，以ZrO_2和WO_
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